自2014年以来,随着计算机等科技的发展,钙钛矿作为一种新的半导体材料被广泛应用于光电子器件、光伏器件等领域,尤其是在LED以及太阳能电池方面引起了人们的高度重视,现阶段有关二维和三维钙钛矿的报道比比皆是,而有关二维-三维杂化钙钛矿的研究则少之又少。与三维钙钛矿相比二维-三维杂化钙钛矿具有更大的带隙,发光峰位可调等特点,因此对二维-三维杂化钙钛矿的性质进行细致的研究,将进一步提高钙钛矿在光电器件以及光伏器件中的应用价值。二维-三维杂化钙钛矿是一种多量子阱结构,可通过改变不同元素的配比或者改变有机基团和无机基团的配比来调控发光,因此对二维-三维杂化钙钛矿的发光性能以及钙钛矿内部电子和空穴的运动过程进行研究将在LED等器件的应用中发挥至关重要的作用。本文综合已有的相关研究成果,以（PEA）₂（CH₃NH₃）_n-1Pb_nI_3n+1为研究体系,通过设计实验探究了二维-三维杂化钙钛矿的特性,具体工作内容如下:（1）分析了钙钛矿在光电器件以及光伏器件等领域的研究现状,对钙钛矿的制备过程以及表征手段做了重点介绍。（2）通过设计实验,探究了制备二维-三维杂化钙钛矿薄膜时高速旋转的最佳转速为6000转,并进一步探究了加入氯苯的时间对钙钛矿薄膜质量的影响,发现在高速旋转40秒到50秒之间加入氯苯得到的钙钛矿薄膜质量最好。（3）利用荧光光谱、吸收光谱等光谱手段对二维-三维杂化钙钛矿薄膜的光学性质进行了重点研究,发现此二维-三维杂化钙钛矿并非为单相的,而是包含了不同n值的各种成分,并利用瞬态吸收光谱研究了此二维-三维杂化钙钛矿薄膜内部电子和空穴的转移过程,发现电子的转移方向是从小n相传到大n相,而空穴的转移方向和电子的转移方向相反,从大n相传到小n相,并在此基础上探究了样品质量对电子、空穴传递的影响,发现当样品质量较好时电子可以从小n相传到大n相,空穴从大n相传到小n相,而样品质量较差时则电子和空穴将无法在不同n值之间传递。（4）利用荧光光谱手段对样品的正反面进行了测试,发现不同n值钙钛矿的排布方式为小n相钙钛矿大多分布在靠近衬底的表面,而大n相钙钛矿则大多分布在样品的表面。（5）利用结晶法制备了二维-三维杂化钙钛矿微米线,并利用荧光光谱对此钙钛矿微米线进行了初步表征,发现此二维-三维杂化钙钛矿微米线和对应的薄膜相同也是一种多相的混合材料。