【摘 要】
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现代电子设备不断向小型化、轻薄化、集成化发展,推动Zn O压敏电阻器在内的相配套电子元件亦朝着片式化、小型化、集成化方向发展。多层片式化Zn O压敏电阻器（MLCV）是半导体材料,在电镀处理时表面容易出现爬镀现象而导致产品失效。为了避免爬镀,需对压敏电阻进行绝缘包封处理。目前常用的方法是采用喷涂方法在四个面逐面喷涂包封绝缘玻璃浆料,该工艺复杂且难以适应尺寸越来越小的小型化产品。本文研究了两种不同组
【基金项目】
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广东风华高新科技股份有限公司“新型电子元器件关键材料与工艺国家重点实验室”2021年科技项目“敏感元器件的表面电镀保护技术”；
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现代电子设备不断向小型化、轻薄化、集成化发展,推动Zn O压敏电阻器在内的相配套电子元件亦朝着片式化、小型化、集成化方向发展。多层片式化Zn O压敏电阻器（MLCV）是半导体材料,在电镀处理时表面容易出现爬镀现象而导致产品失效。为了避免爬镀,需对压敏电阻进行绝缘包封处理。目前常用的方法是采用喷涂方法在四个面逐面喷涂包封绝缘玻璃浆料,该工艺复杂且难以适应尺寸越来越小的小型化产品。本文研究了两种不同组分的化学处理液,并采用浸泡的方法对MLCV进行包封处理,在MLCV表面形成一层磷酸盐表面绝缘层,防止在电镀时出现爬镀。本文的主要研究内容和结果如下:（1）通过成分设计以及实验,确定磷酸盐玻璃的基础配比,并引入Fe、Ba、Si等不同阳离子改善玻璃的耐酸性。通过XRD、FTIR、DSC、耐酸性测试等表征手段对玻璃的结构和性能进行分析。研究结果表明:最佳的玻璃配比为2:40:1（Na3PO4:Zn（H2PO4）2:Al（H2PO4）3）,引入1wt%Na2Si O3时耐酸性的质量损失率降至0.40%。采取浸泡包封并经过热处理后可在MLCV形成绝缘层,但绝缘层不均匀、完整且表面效果不佳,可能是因为表面层物质在热处理时会与瓷体表面组分发生反应,难以按照实验配比在样品表面形成均匀完整的表面层。（2）采用磷酸二氢锌和磷酸作为主要成分制备化学处理液,利用处理液组分与MLCV瓷体表面发生反应形成磷酸盐表面绝缘层。研究了化学处理液配比,并通过XRD、SEM、EDS等表征手段分析不同的工艺条件对电阻表面包封层的主要成分、显微形貌、组成元素的影响。经过研究得到:较优表面绝缘化处理液配比:总酸46点,游离酸6点,锌离子浓度9.0 g/L;较优处理工艺:草酸溶液作表面调整剂、浸泡温度为75℃、处理时间为30 min、热处理温度为780℃。将MLCV样品放置在优化的处理液中进行表面绝缘化处理后,表面形成了一层相对均匀平整、P含量较高的玻璃态表面绝缘层。将绝缘化处理后的样品进行实际电镀工艺处理,电镀后样品端电极没有延伸,中间瓷体部分没有出现爬镀、外观不良等问题,电镀前后电性能变化率小于1%。
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