本文采用粉末冶金法制备出了Cu_1.15In_2.29Te₄、Cu₃In₅Te₉两种Cu-In-Te半导体热电材料,并通过固溶Cu₂Te、固溶Cu及Ga等方法,调控材料的能带结构,协调其声电输运性能,成功地提升了材料的热电性能。在Cu_1.15In_2.29Te₄中固溶Cu₂Te后,材料的费米能级钉扎作用消失,价带附近生成一浅杂质能级,增大了材料的载流子浓度和电导率,赛贝克系数出现微弱下降;同时,材料中的主要缺陷Cu空位减少,间隙Te原子增多,间隙Te原子与骨架In原子和Te原子的声学支产生杂化,因此产生共振,加强了声子散射,降低了晶格热导率,在855 K下得到最佳热电优值（ZT）¹.0。在Cu₃In₅Te₉中固溶Cu、并用Ga替换In后,极大地提升了赛贝克系数,而电导率下降有限;此外用Ga替换In后,增加了点缺陷,减小了晶格热导率,在825 K下获得了最佳ZT值0.77。向Cu₃In₅Te₉中仅固溶Cu后,材料的载流子浓度和电导率显著提升,赛贝克系数略有下降;固溶额外Cu元素后,声子散射机制得到改变,适量的Cu空位浓度（x=0.1时）可获得最佳声电协调,表现为晶格热导率最低,在825 K下获得了最佳ZT值¹.0。