利用静电探针和光强标定的发射光谱（AOES）研究了CHF₃、CHF₃／C₆H₆气体ECR放电等离子体的特性及氟化非晶碳薄膜（a-C：F）的结构与等离子体空间基团分布的关系。重点研究了CHF₃、CF₄和CHF₃／C₆H₆放电等离子体中基团的分布；分析了不同基团的相对密度随宏观放电条件（微波输入功率、放电气压、源气体流量比）的变化规律；探讨了等离子体中各种基团的生成途径；在不同源气体流量比的条件下沉积了a-C：F薄膜并通过傅立叶变化红外吸收光谱（FTIR）的测量得到了薄膜中键结构的信息；分析了a-C：F薄膜的沉积速率及其键结构与等离子体空间基团分布状态之间的关联。结果表明，在CHF₃气体ECR放电等离子体空间中存在H、F、C₂、CH、F₂、CF等基团，其中的C₂基团是由F、H刻蚀放电室器壁上沉积的薄膜生成的；在CHF₃／C₆H₆混合气体放电等离子体中，H、F、CH、C₂、CF等基团的相对密度随着流量比R[R=CHF₃／（CHF₃+C₆H₆）]的增大而增加，而a-C：F薄膜的沉积速率却随之降低，此结果说明其生长不是只有CH、CF等单碳原子基团作为前驱物这一种模式；薄膜中CF键的浓度是随R的增大而增大的，表明等离子体空间的F密度的增大在增强对薄膜刻蚀的同时也会更容易被吸附生成CF键。