本文使用整形飞秒脉冲烧蚀单晶铜,并对烧蚀产生坑的形貌和荧光信号强度进行了研究。研究发现:相同能量条件下,变换整形脉冲序列的子脉冲个数和相邻子脉冲之间的时间间距都会影响烧蚀坑的形貌以及荧光信号强度。子脉冲个数的数量会影响脉冲能量的分配,能量的分配直接影响烧蚀坑和等离子体的形成;相邻子脉冲的间距则会影响能量注入到样品或者等离子体的时间。对于含有多个子脉冲的脉冲序列来说,前序子脉冲先与样品相互作用发生液化或者汽化,液化或者汽化的样品会更好地耦合后续子脉冲并发生相互作用。因此,改变整形脉冲序列的子脉冲个数和相邻子脉冲的时间间距首先决定了前序子脉冲的烧蚀,烧蚀产生的等离子体随着时间是不断膨胀的,膨胀的等离子体对后续脉冲会产生遮挡,但等离子体膨胀到一定时间之后就开始减弱,其对后续子脉冲的遮挡作用也会降低。前序子脉冲烧蚀产生的等离子体在发生遮挡作用的同时,后续子脉冲一部分能量透过等离子体继续烧蚀样品,一部分能量会被等离子体吸收使等离子体再加热。总的来说,多脉冲序列烧蚀是一个非常复杂的过程,但是通过调节多脉冲序列的子脉冲个数以及相邻子脉冲的时间间距是可以实现对烧蚀形貌的一定控制的,这对飞秒激光的应用非常有指导意义。