经过多年来的研究表明，尽管锰铜合金的压阻系数不是很高，但由于它具有灵敏度高、响应快、线性较好、电阻温度系数小等特点，非常适合于制作超高压力传感器。其有效量程为1～50GPa,是目前测压上限最高的压力传感器，广泛应用于研究材料中弹塑性波的传播特性、动态断裂、层裂、相变、炸药爆轰等方面。 本论文的第一部分主要对锰铜薄膜压力传感器进行了总体工艺设计。设计包括锰铜薄膜压阻传感器的膜系与结构、制备方法以及工艺参数的设计。为了锰铜传感器的微型化，采用射频磁控溅射法制备适合出了高压力测量的锰铜压力传感薄膜，基片采用不锈钢，膜层采用三明治结构，即氧化铝。锰铜．氧化铝的结构。 论文的第二部分为实验的检测和校核部分，用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了样片薄膜的结构和形貌，用静态加载方法实验标定了锰铜薄膜的压阻系数。做出传感器的电阻变化——压力关系曲线。再采用最小二乘法对实验曲线进行多项式拟合，得出压阻系数的值。研究结果表明，晶粒尺寸决定了薄膜的压阻系数，经360℃热处理1h后，薄膜晶粒长大，压阻系数有着明显提高(K值达到0.02 GPa<-1>)，性能达到锰铜箔的水平。