核辐射探测器是实验核物理技术重要的探测元件,在科学研究、核安全、环境监测、核医学、空间飞行、采矿工业等领域发挥着不可或缺的作用。其对于核物理的发展亦具有重要的作用。目前,室温半导体核辐射探测器以其能量分辨率好、探测效率高、体积小、重量轻、携带方便等优点而成为各国核辐射探测器研究和发展的重点。CdSe 作为一种有前途的制作室温核辐射探测器的半导体材料,曾受到广泛关注,并伴有一些初步的研究成果,但一直没有得到充分发展,究其原因,是因为没有能够生长出高质量的单晶。本研究室在充分调研的基础上,对CdSe单晶体的生长及CdSe 探测器的制备进行了深入的研究。为了能够制作出合格的探测器,首先要生长出高质量的单晶体。CdSe 是一种熔点较高,易挥发的物质,用传统的熔体法生长单晶难度较大,实验证明,用气相法生长CdSe 单晶是一种简单而有效的方法。但这种方法对原料的纯度提出了很高的要求,原料中的杂质不仅阻碍单晶体的生长,更对半导体材料的载流子浓度、载流子迁移率以及少数载流子寿命产生直接影响,这些性质是制作探测器用材料的重要参数;亦对探测器的漏电流、电荷收集以及稳定性等性质起重要作用,对器件的性能造成损害。所以,在生长单晶和制作探测器之前,