X处理器是一款面向流应用的64位高性能微处理器。它包含多个存储部件,如LRF、CCRF和SRF等等。本课题针对这些存储部件全定制设计与实现展开研究,结合多种技术在0.13um工艺下实现了一款32字65位1读1写寄存器文件、一款2048字64位单端口SRAM。最差情况下模拟结果表明:寄存器文件的读写操作时间小于650ps,SRAM的读写操作时间不超过1.4ns。译码器是存储部件关键路径的重要组成部分,提高译码速度能有效提高寄存器文件和SRAM的读写速度。本文把P型动态电路与静态译码器结合,不仅解决了静态译码器的写重叠问题,而且提高了译码速度。此外,由于译码器关键路径的特殊性,使用一种称为“门偏斜”的关键路径优化方法。SRAM的译码使用这两种技术,取得了很好的效果。良好的版图布局能够有效降低电路的面积、功耗和延时。欧拉路径法是解决互补CMOS电路版图布局的一种方法,然而对于不存在欧拉路径的互补CMOS电路和非互补CMOS电路则无能为力。本文在基本欧拉路径方法的基础上,提出一种拓展的欧拉路径方法,使之能够应用于所有互补CMOS电路和动态电路的版图布局。在寄存器文件和SRAM版图设计中使用上述方法,有效提高了版图实现所需时间。