双极性有机场效应晶体管（a OFETs）是集成电路互补反相器中的关键元件,近年来引起了极大的关注。双层p-n异质结是实现稳定、高性能双极性有机场效应晶体管的有利结构,但在常见的基于多晶薄膜的双层异质结中不可避免地会发生层间混合,因而其双极性器件的性能比相应的单极性器件低。为了克服层间混合问题,本文提出以二维分子晶体（2DMCs）为模板诱导制备p-n异质结的方案。本研究发展了一种制备二维分子晶体的新方法,并成功利用二维分子晶体作为模板诱导制备了高结晶度的双层p-n异质结,获得了高性能双极性有机场效应晶体管。具体内容如下:1.提出软模板辅助策略生长大面积二维分子晶体的新方法。利用表面活性剂在水面上形成的单分子层膜作为软模板,拖住易分散的半导体溶液并使溶液大面积连续铺展,获得了大面积的二维分子晶体。偏光显微镜（POM）、X射线衍射（XRD）、选区电子衍射（SAED）、高分辨原子力显微镜（HRAFM）等测试表明获得了高质量的二维分子晶体。此方法可用于生长多种有机半导体的二维分子晶体,如2,6-双（4-己基苯基）蒽（C6-DPA）、2,7-二辛基[1]苯并噻吩[3,2-b][1]苯并噻吩（C8-BTBT）、6,13-双（三异丙硅基乙炔基）并五苯（TIPS-pentacene）、呋喃-噻吩醌类化合物（TFT-CN）。基于C6-DPA和C8-BTBT的二维分子晶体制备了有机场效应晶体管,获得的载流子迁移率分别高达3.16和11.33 cm~2 V-1 s-1,是该类材料的较高值。大面积、高质量二维分子晶体的获得为模板法诱导制备p-n异质结及其双极性场效应性能研究奠定了基础。2.提出以二维分子晶体为模板诱导制备高质量双层p-n异质结的方法,克服了基于多晶薄膜的双层异质结中不可避免的层间混合问题,获得了高性能的双极性有机场效应晶体管。通过软模板辅助策略在水面上生长得到了大面积二维分子晶体,并用作模板诱导上层薄膜的结晶。原子力显微镜（AFM）和X射线衍射测试表明二维分子晶体模板具有出色的润湿性,有助于增加上层薄膜的晶畴尺寸和结晶度。更为重要的是,二维分子晶体原子级平整的表面和长程有序的结构避免了层间混合。电荷传输测试结果表明,基于二维分子晶体模板的高质量双层p-n异质结的双极性有机场效应晶体管实现了高的性能。以典型的n型有机半导体F16Cu Pc为例,以二维分子晶体为模板制备的双层p-n异质结中F16Cu Pc的最大电子迁移率达0.56 cm~2 V-1 s-1,是目前报道的双极性有机场效应晶体管中以F16Cu Pc作为n型半导体的最高值,也是以F16Cu Pc作为n型半导体的单极性有机场效应晶体管的最高值。该研究为制备高质量的有机异质结及光电器件提供了新的途径。