本课题旨在利用一个新型方法合成ZnO纳米阵列、图案化阵列器件。其可在500℃以下的环境中,10-20分钟内合成。同时应用此方法,可获得无任何附加步骤的简单的功能器件封装。同时研究一种快速合成纳米带的方法,具有简单、可重复、安全,成本低效益高的优势,适合大规模生产。对ZnO金属氧化物半导体材料的可控生产与性能研究,研究制备生长在不同衬底上的一维ZnO纳米结构的一种简单可靠的合成方法,实现ZnO纳米器件的流水线式生产。宽度为150nm、长度达5um的针形纳米带,我们发现随着不同的模式,不同的设备阵列可同时获得;由于不同的模式,可以获得更多的功能选项。在制造过程中,不引入任何杂质进入系统,发生一个自催化过程。以液相转化理论为基础,研究了反应条件对反应条件的影响,并通过光致发光分析系统研究了反应条件对反应条件的影响。从而研究出制备生长在不同衬底上的一维Zn O纳米结构的快速合成方法。