随着信息时代的蓬勃发展,诸如物联网、大数据、人工智能之类的新兴信息科技对海量的数据收集与分析的需求日益增大,因而对现存的数据存储设备提出了愈加严苛的要求与挑战。作为非易失性存储器之一的电阻式随机存取存储器有望成为下一代主流信息存储技术之一,而作为其基础元器件的忆阻器也引起了世人的广泛关注。在关于忆阻器电学性能表征的研究工作中,探针尖端应力对忆阻器电学性能的影响并未受到科研工作者的注意,但是其可能会造成对忆阻器的电学表征结果错误的判断,因此需要针对探针台的探针尖端应力效应开展研究。本论文的工作以探究探针台的探针尖端应力对忆阻器电学表征的影响为出发点,并由具有递进关系的两部分研究内容组成:1)室温下的探针尖端应力效应的研究;2)测试温度对探针尖端应力效应的影响。首先,室温下的探针尖端应力效应的研究工作表明:当研究金属氧化物型的忆阻器时,探针置于器件活性区域上方的测试方式会因探针尖端所施加的机械应力导致不真实的电学表征结果。所观测到的应力效应表现为:击穿后的电流值更高、击穿电压值更低、器件低阻态的阻值分布更均匀以及错误的双极性阻变行为。以活性金属材料为电极的忆阻器受到探针尖端应力的影响更为显著,如许多器件表现出短路现象,尤以Ag为电极的忆阻器为代表。其次,在第二部分的研究工作中,分别选择在25℃、75℃和125℃温度下对忆阻器Ni/Al2O3/Ni进行测试。结果表明,温度可以改变忆阻器的电学性能且对探针尖端应力效应有较大的影响。其影响主要体现在:增强对器件间的变化性的影响程度、降低器件击穿电压的平均值且其数值分布更为分散、降低器件低阻态的阻值且其数值分布范围扩大、改变器件高阻态阻值的分布范围和集中程度。本文系统地研究了探针尖端应力对基于氧化物材料的忆阻器电学性能的影响,并进一步探究了温度对探针尖端效应以及忆阻器电学性能的影响,并能够为后续忆阻器的研究及建立可靠的评价方法提供一定的参考,比如测试过程中探针尖端应力对器件性能参数的影响趋势。