钙钛矿型氧化物是一种具有广泛应用前景的材料,它具有超导、铁电、铁磁、以及庞磁电阻等丰富的物理性质。这些物理性质往往与结构息息相关,因此对其结构的调控就显得十分重要。影响结构的因素有很多,其中通过在材料中引入氧空位是近来人们研究的热点。在实验中,我们通过改变铁酸铋薄膜的生长条件可以引入氧空位片,而氧空位片的出现改变了薄膜中的畴结构,但是具体的影响机制仍不清楚。为了系统地研究氧空位片对铁酸铋薄膜畴结构的影响,本文利用相场模拟的方法研究了氧空位片面积以及电荷密度大小对薄膜畴结构的影响。研究发现:当氧空位片面积和电荷密度较小时,薄膜中主要形成71°带电畴壁;而当氧空位片面积和电荷密度较大时,则会出现109°带电畴壁。此外,我们还在钴酸镧薄膜中观察到了氧空位片,发现氧空位片的排布方式与薄膜的厚度有关:当薄膜厚度小于5 nm时,氧空位片为水平排布;当薄膜厚度超过5 nm时,氧空位片为竖直排布。本文采用第一性原理计算对这一现象的物理机制进行研究,发现氧空位片的排布方式由薄膜的表面能和块体能相互竞争所决定:当薄膜较薄时,表面能占据主导,氧空位片为水平排布;当薄膜较厚时,块体能占据主导,氧空位片为竖直排布。