基于65nm CMOS工艺的低功耗模拟基带电路研究与设计

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近年来,随着无线通信技术的发展,移动通信已经走进了人们的日常生活,很大程度上改善了我们的生活质量。为了提高移动通信速率并增加移动端的续航,这要求设计出更高速率、更低功耗的通信电路,这对当前射频与模拟基带集成电路的设计提出了更高的要求。本文面向无线通信发射机系统设计了一款低功耗模拟基带电路芯片,该芯片电路功能包括增益的放大与衰减调节,带外信号的抑制和直流失调信号的抵消,该芯片的设计主要包括可编程放大器(PGA)、信道选择滤波器、直流消除失调电路(DCOC)。本文首先分析了深亚微米工艺下对集成电路的影响和挑战,然后介绍了发射机的直接上变频架构以及模拟基带相关的指标,并根据指标的要求确定模拟基带电路的系统方案。本文设计的信道选择滤波器为四阶切比雪夫Gm-C低通滤波器,采用两个二阶滤波单元级联的方式实现。为了提高线性度和减小功耗,本文的跨导单元由带有源级反馈的跨导放大器构成。同时为了增加电路的共模抑制能力,跨导放大器同时带有共模反馈和共模前馈。为了防止工艺、温度和电源电压(PVT)对滤波器的截止频率的影响,滤波器的截止频率可通过电容阵列进行调节。本文的可编程增益放大器分为增益衰减级和增益放大级。基于功耗的考虑,本文的增益衰减级采用R-2R无源电阻衰减网络实现。本文的增益放大级采用源极退化电阻的PGA作为基本结构,同时利用带宽扩展技术提高可编程放大器的带宽。为了防止直流失调引起的危害,本文的直流失调消除电路使用低通负反馈的方式,为了减小负反馈电路上电容过大的问题,本文利用密勒效应实现大电容。直流失调电路的输出级为跨导放大器,通过跨导放大器与主电路的反馈电阻连接从而抵消直流失调。本文设计采用TSMC 65nm CMOS工艺完成,根据版图设计的基本原则和流程,完成了模拟基带电路的版图设计,并且所有功能通过后仿真验证。后仿真结果显示,模拟基带在电源电压1V的情况下消耗的电流为4.1mA,实现了低功耗的目标,带宽在80MHz、100MHz、120MHz三个带宽档位可调,增益调节的范围为-18~30dB,增益的步进为1dB。根据电路的后仿真结果,该性能满足系统对模拟基带电路的设计指标要求,可用于宽带低功耗无线通信发射机中。
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