ZnO作为直接宽禁带半导体材料，因其良好的性能，在场发射器、紫外探测器、声表面波器件、发光二极管、透明电极等方面有广泛的应用而受到关注。本文利用电子束蒸发沉积制备了纯ZnO薄膜及Co、Al掺杂的ZnO薄膜，制备的薄膜都具有良好的c轴取向性。蒸发时真空室内的氧气压对薄膜的形貌及性能有影响，随着沉积气压的升高，薄膜更为致密，光学透过率升高，且ZnO薄膜的方块电阻随之变大。随着沉积时的衬底温度的升高，使薄膜的取向性变好，光透过率升高，并且使得薄膜的吸收边变得明显。Co元素的掺杂不仅使薄膜的结晶性变差，取向性降低，Co浓度的升高使薄膜的透过率下降，吸收边变得不明确，禁带宽度也随之变小。Co掺杂的ZnO薄膜应力场作用下会生长出一维ZnO纳米带（棒）状结构。Al元素的掺入能提高薄膜的结晶性，使薄膜变得致密，而且随着Al浓度的升高，不仅使ZnO薄膜的透过率升高，而且使薄膜的禁带宽度值变大。方块电阻随着Al元素浓度的升高先变大后变小。退火对Al/ZnO双层膜的结构及光学性能有很大影响，当退火温度从300℃升高到400℃时，薄膜表面出现了片状结构及光滑球形结构，而且薄膜的光学透过率有大幅度的升高。利用溶胶-凝胶法制备了ZnO纳米棒和掺杂Zn_0.9Ni_0.1O纳米棒，研究了其结构形貌和性能。煅烧温度是影响产物形貌的重要原因，400℃煅烧时得到的产物主要呈棒状形态，并随着煅烧温度的升高，产物将成颗粒状。ZnO纳米棒有很强有紫外光致发光性能，Zn_0.9Ni_0.1O纳米棒在室温下有铁磁性。