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单晶硅太阳能电池相比于其他光伏电池由于其较高的光电转换效率仍占据着大部分光伏市场份额。但是高昂的成本限制单晶硅太阳电池的大规模应用。随着生产工艺技术的发展,电池硅片将越来越薄。硅片厚度越低,表面复合对光生过剩载流子的寿命影响越大。因此研究单晶硅电池的体复合与表面复合行为,对提高电池的性能具有重要意义。准稳态光电导技术(QSSPC)因其不破坏样品形貌,不污染样品,成为广泛使用的表征样品少子有效寿命。首先,本文基于过剩载流子的产生与复合理论,分析了在不同注入水平下单晶硅体寿命的变化特性,并根据单晶硅中非