【摘 要】
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该论文研究Co/a-GeSi/Ti/Si(100)和Co/a-C/Si(100)两种新结构外延生长CoSi薄膜的中间层诱导固相外延(IMSPE)新技术.研究了多层薄膜的固相外延过程及机制,所形成CoSi薄膜的晶
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该论文研究Co/a-GeSi/Ti/Si(100)和Co/a-C/Si(100)两种新结构外延生长CoSi<,2>薄膜的中间层诱导固相外延(IMSPE)新技术.研究了多层薄膜的固相外延过程及机制,所形成CoSi<,2>薄膜的晶体结构,电学、热学性能,中间层的作用以及各原子的扩散运动.取得以下主要结果:——研究了Co/a-GeSi/Ti/Si(100)多层薄膜的IMSPE技术.——研究了Co/a-GeSi/Ti/Si结构IMSPE中,非晶GeSi中间层的作用.——比较了Co/a-GeSi/Ti/Si(100)和Co/GeSi/Ti/Si(100)结构固相反应形成薄膜的晶体结构.——研究了Co/a-C/Si(100)多层薄膜IMSPE技术.——研究了在Co/a-GeSi/Ti/Si(100)和Co/C/Si(100)两种结构固相外延机制.
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