发光二极管(LED)是直接将电能转化为可见光的固态半导体光源，具有低能耗、亮度高、寿命长、无污染、易集成、色彩丰富、低压安全、响应时间短等优点。因此，发展LED产业受到各国政府的高度重视。在应用端的需求下，多芯片阵列式高压发光二极管的概念被提了出来，基于技术限制，目前台湾和韩国的水平处于领先地位。大陆企业还在处于起步研发阶段。　　本文研究多芯片阵列式高压发光二极管技术，同时开发新工艺以实现高压发光二极管的制备，不断提高其光电参数特性。考虑到多芯片阵列式高压发光二极管制备工艺还存在很多工艺问题，本文利用建模和光学仿真手段，研究包括光学膜系、蓝宝石图形衬底(PSS)、倒金字塔结构(TIP)、电极结构和小芯片形状与间距等芯片工艺技术，并将上述工艺技术灵活引入高压LED芯片组研制中，对多芯片阵列式高压LED芯片组性能起到了很好的改善。　　多芯片阵列式高压发光二极管的工艺：　　1、光学膜系的研究，从蓝宝石衬底底部蒸镀增反膜和DBR等光学膜系的阐述、研究和对比，最终将蓝宝石衬底底部蒸镀增反膜工艺引入高压LED芯片组，作为多芯片阵列式高压LED芯片组基本工艺之一；　　2、蓝宝石图形衬底技术的研究为大芯片下实现的高压LED芯片组外延片的质量提供了保证，研究更加优化的图形衬底结构成为研发高质量的多芯片阵列式高压LED芯片组的保障技术；　　3、TIP技术，即为倒金字塔结构，将此技术研究思路活用于高压LED芯片组，采用正立梯形台结构作为为芯片组中各个芯片的结构。这种工艺技术不但可以解决多芯片阵列式高压LED芯片组出光效率低的问题，还有助于改善芯片组的散热效果；　　4、采用本文研究设计的双线连接的电极起到双线保护的作用，将改变多芯片阵列式高压LED芯片组良率低的现状，也改善了多芯片阵列式芯片组中各小芯片电流密度分布；　　5、通过改变多芯片阵列式芯片组中小芯片尺寸来实现改变小芯片间的间距，优化得到出光效率最好的尺寸；本文还研究了小芯片形状，分析得到正方形形状有助于提高光学和电学性能。