本文主要介绍了薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的电容-电压(CV)特性,并建立了一个频率依赖的CV(f-CV)模型。首先,在充分理解MOS结构器件CV特性的基础上,基于不同layout的TFT的结构差异,结合器件沟道耗尽和积累时的CV特性,我们提取了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)TFT器件的结构参数:栅极氧化层厚度、IGZO沟道厚度、刻蚀阻挡层厚度(ESL)厚度以及接触孔处由于过渡刻蚀后留下的沟道厚度。其次,我们建立了一个频率依赖的TFT CV模型(f-CV)。该模型不仅包含了沟道电荷分析模型、RC延迟相关的传输线模型,也考虑了不同频率下,陷阱电荷对测量电容的影响。基于同一套参数,在频率f从10 kHz到1.5 MHz范围内,最终的电容模型f-CV能很好的拟合顶栅自对准多晶硅(p-Si)TFT的CV测量曲线。为了验证模型的正确性,我们还同时拟合了不同宽长比的TFT器件以及不同温度下的CV测量值,其拟合效果相当完美。