非平衡少数载流子寿命是半导体的一个十分关键的物理参数，在半导体材料和器件中有着很重要的影响。它能反映半导体材料的纯度和晶格结构的完整性，对太阳电池的效率都有着重要的影响，是工艺调整与材料区分的主要依据。论文第一章将会针对光伏行业的发展进行一些讨论，并提出硅片检测的重要性并引出少子寿命的测试。第二章介绍了少子寿命的定并对影响少子寿命的复合过程进行了深入讨论。接着开始介绍几种重要的少子寿命测试方法，它们的原理与优缺点都进行了讨论和对比。最后引出本文选用的微波光电导衰减法，并对它的优势进行了描述。第三章解释了微波光电导衰减法的原理，详细展示了实验装置的搭建过程，第四章针对少子寿命测试仪中存在的信号较弱导致的测试结果重复性较低的问题，先对矩形波导中微波的传输特性进行了理论分析。然后对测试仪中关键传输耦合模块魔T进行了研究。研究发现微波在魔T中的传播导致了大量能量的损失，严重削减了信噪比。环流器的特性很好地弥补了魔T的不足，既保证了微波正常的传输耦合又提高了装置中微波的能量利用率，保证了信噪比。用环流器替代魔T并进行改进后，测试结果重复性由原来的7%提升至3%。文章最后对本文论述的方法进行了一个补充和讨论，并指出了本文中方法的一些局限性和尚待更进一步研究的点。最后对少子寿命寿命测试的发展提出一些看法。