我们研究的有机器件磁效应主要包括两个方面的内容，分别为有机自旋极化注入和有机半导体自身磁效应。有机自旋极化注入主要从电极的角度出发，利用不同的巨磁阻薄膜做电极。在外加磁场的情况下，向有机半导体中注入自旋极化的载流子。而有机半导体本身的磁效应是指在缺少磁性薄膜的器件上外加磁场导致器件的电流或亮度发生改变的现象。　　目前，有机自旋极化注入方面的研究已经取得了重要的进展，即利用有机小分子作为中间层，成功的制备出了有机自旋阀结构。而有机磁效应方面也针对正负磁阻的转变进行了初步的实验验证和理论分析。我们在这两个方面主要做了以下几点工作：　　1.我们选用巨磁阻薄膜La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)作为阳极材料，针对薄膜表面进行了紫外臭氧处理，提高其表面功函数，然后在其上分别生长空穴传输层，发光层，电子传输层，常规阴极，成功地制备出了有机电致发光器件。亮度达到了300cd/m2。是目前为止以LSMO为基础的亮度最强的有机电致发光器件。沿着器件平面加150mT的磁场，亮度的增加达到了10％。LSMO薄膜的磁阻和器件半导体本身的磁阻共同组成了该器件的磁阻变化。　　2.我们将发光层Alq3与空穴传输层NPB进行混合，发现在比例掺杂为2:1的时候，电致发光磁效应变化最大，同时随着混合层的厚度增加，磁效应也随之增加，在约40nm厚的时候接近饱和，0.5mA的时候由不具有混合层的3％增加至最大7.5％，通过在混合层和电子传输层界面插入薄层LiF，其磁效应的进一步提升证明混合层内的发光磁效应要比纯Alq3发光磁效应明显。我们将原因归结为掺杂比对发光层中载流子迁移率的调节从而改变磁效应的大小。　　3.在第二个工作基础上，我们主要针对磁致发光现象进行了进一步深入的研究。同样利用混合电子传输层和空穴传输层的办法，我们确定了载流子迁移率是磁致发光强弱方面的决定性因素，同时经过理论分析和验证，发现磁致发光由两个过程组成，即自旋散射和自旋混合过程，我们在相同主体材料中掺杂不同染料的办法，对自旋散射过程进行了深入的研究，成功的观测到了磁致发光随磁场先增加后减弱的过程，同时也发现在自旋散射过程中，磁场对单线态激子的影响比较明显，而对三线态的影响相对较弱。这个工作对澄清有机半导体的磁效应机制具有重大的指导意义。