非晶半导体薄膜晶体管（amorphous thin film transistor,a-TFTs）广泛应用于智能手机、平板显示和电子纸等商业显示产品中。传统非晶硅（a-Si）TFT是目前主流的a-TFTs技术。随着半导体材料科学和器件加工工艺的发展，新型a-TFTs技术发展迅猛。这其中，具有低成本、高均一性和高机械性能等优势的非晶氧化物（a-Oxide）TFT和非晶有机TFT（a-OTFTs）是学术研究和工业应用的热点。新型a-TFTs技术的成本和性能优势又将a-TFTs的应用范围推广到诸如传感器、智能标签和柔性显示等更前沿的领域中去。　　为了满足愈加复杂的电路设计需求，我们需要开发适用于各类器件结构和非晶半导体材料的通用a-TFTs紧凑型模型。a-TFTs类似的半导体能级分布结构和工作机理是建立通用模型的依据。传统的a-Si TFT模型和专门针对某种新型半导体材料的TFT模型无法同时满足简单，通用，准确，连续和具备物理意义等要求。本文通过推导a-TFTs阈值以上和亚阈值电流公式，建立了准确连续的通用a-TFTs。仿真模型。模型的参数较少，参数提取过程简单。除了三个拟合参数，其他的参数都具有常见的物理意义。该模型可以被应用于包括铟镓锌氧（IGZO）a-Oxide TFT、有机小分子半导体TFT以及聚合物半导体TFT的电路仿真中去。为了方便模型参数的提取，本文还提供了独立于Spice电路仿真软件的参数提取工具。该工具使用不同于Spice电流电压计算的迭代算法，能够快速地计算仿真结果，拟合实验数据。