【摘 要】
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该文在前人工作的基础上,详细研究了矩形截面GaAs/GaAlAs(x=0.3)量子阱线中的类氢杂质体系的性质,采用变分技术计算了此体系的束缚能及其光致电离截面.在选取变分波函数时考
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该文在前人工作的基础上,详细研究了矩形截面GaAs/Ga<,1-x>Al<,x>As(x=0.3)量子阱线中的类氢杂质体系的性质,采用变分技术计算了此体系的束缚能及其光致电离截面.在选取变分波函数时考虑到了电子运动在量子线的限制方向与非限制方向的相关性,从而使得在宽阱时波函数和束缚能的精确度得到改进,全文主要由两部分组成.在第一部分,利用变分法计算了无限深GaAs矩形量子线和量子阱中类氢杂质束缚能的度规法则和维里定理值.在第二部分,首先讨论了有限深GaAs/Ga<,1-x>Al<,x>As量子阱线中杂质态的束缚能,其中考虑到了阱垒中电子有效质量及材料中介电常数的失配性.采用所选的波函数和得到的束缚能进一步计算了类氢杂质体系的光致电离截面.最后对所得结果进行了详细的讨论,由于我们选取的波函数考虑到限制方向与非限制方向的相关性因素,从而提高了杂质的束缚能(在宽阱时尤为明显),即提高了所谓的阈能(E<,s>),导致了光电离截面值的减小.
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