PLD法制备Nb掺杂ZnO基透明导电薄膜及其性能研究

被引量 : 1次 | 上传用户:meng20040511
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ZnO是一种直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,其室温常压稳定相的晶体结构为六角纤锌矿结构,室温下禁带宽度约为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。作为一种本征n型的半导体材料,ZnO通过施主掺杂(如Al、Ga、Zr等),便可以获得较高的电子浓度,而在可见光区域仍能保持较高的透射率。而且相比较ITO等其它TCO材料,ZnO主要有以下几点优势:来源丰富,价格低廉,无毒对环境友好,热稳定性好,易于生长加工。近年来,大屏幕、高清晰度液晶显示器普及迅速,其需求不断增加,而世界性的能源缺乏和自然环境
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