2～5μm波段内的激光由于具有较低的散射与吸收，因而在空间点对点通信、激光雷达、军事目标指示方面拥有重要的应用前景。锑化物有源区的激光器是获得该波段的一种最热门的方式，但在制备上还存在晶格的失配、应力影响锑化物发展。因此本文研究了同质外延生长单层薄膜（GaSb衬底生长GaSb薄膜）和异质外延生长超晶格（GaSb衬底生长 InAs/GaSb超晶格）及其性能表征，在超晶格周期内部材料界面之间进行界面控制，提高超晶格性能。　　采用实验结果与X’Pert Epitaxy软件模拟材料外延生长的图像相对比的方法，利用分子束外延技术将选取的GaSb衬底上控制生长参数生长GaSb薄膜。运用XRD测量实际生长薄膜，明显看出峰形尖锐。与模拟外延生长图像几乎吻合，说明外延薄膜的晶格质量很好，从而确定了最佳的生长参数。　　利用已确定的分子束外延技术的最佳生长参数生长了周期分别为10,20,50的InAs/GaSb超晶格，测得 X射线一级衍射峰半峰宽分别为303arcsec，198arcsec，208arcsec。表明InAs/GaSb超晶格随着周期增大应变也随着增加，但是通过适当生长参数的控制周期的增加界面的应力也逐渐的减小。在InAs/GaSb界面插入InAsSb缓冲层，测得X射线一级衍射峰半峰宽为200arcsec。插入缓冲层会降低界面处的失配密度。得到了稳定、失配，应力低的InAs/GaSb超晶格结构。