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近年来,随着科学技术的不断进步发展和日益增长的美好生活的需要,人们对显示技术有了越来越高的要求。自从1994年Alivisatos研究组将胶体量子点（QD）用作发光层,提出了量子点发光二极管以来,有发光颜色可调、色纯度高等诸多优良光电特性的QD引起了人们的广泛关注。而基于QD作发光层的量子点发光器件（QLED）有着饱和的发光颜色、出色的柔韧性、加工工艺成本低等许多独特的优势,被誉为极具潜力的下一代显示技术。QLED经历了近三十年的发展,进步可圈可点,但美中尚多不足。现在红光和绿光的QLED器件外量子效率（EQE）已经可以超过20%,且红光QLED在亮度100 cd/m2时的寿命可以长达2200000 h,已经能够满足一些商业化应用的需求。绿光和蓝光QLED性能有了很大的提高,但距离商业化应用仍有差距。现阶段高性能的QLED大多基于含重金属元素镉的量子点作发光层,这种重金属元素不仅对人体有害,废弃设备处理不当还会对环境造成严重的污染,这大大限制了量子点器件在商业领域的应用,也不符合我们可持续发展的要求,而作为替代品的无毒量子点器件性能仍有很大差距。为了实现高效稳定的QLED,我们需要对器件发光机理有更深入的研究,指导我们进一步优化器件结构,改善器件性能。本文中我们提出了一种量子点电致发光器件瞬态过程的测试手段,并且用其研究了一种基于无毒CuInS2量子点器件的瞬态过程,分析了PEIE修饰ZnO改善器件性能的机制。本文主要内容如下:1、详细阐述了QD和QLED的研究进展以及现存问题,设计了一种瞬态电致发光测试和光致发光测试技术结合的测试方法,并且详细介绍了各部分原理及整套测试系统搭建流程,可以用于分析器件内发生的载流子传输、电荷积累和俘获等细致的载流子动力学过程,同时研究器件中量子点的发光机制。2、利用我们设计的器件瞬态测试方法,研究了PEIE层对QLED器件性能改善的机制。经过对瞬态测试过程中器件不同时刻量子点荧光寿命的分析,我们发现合适厚度PEIE层的加入可以平衡器件内部载流子注入,减少器件内部的电荷积累,同时修饰ZnO/QD界面,减少ZnO表面缺陷对QD中激子的淬灭,因此可以有效提升器件性能。