【摘 要】
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该论文主要研究半导体GaAs及InAs纳米颗粒在绝缘介质SiO中镶嵌的复合薄膜(GaAs-SiO及InAs-SiO)的制备技术、薄膜的微观结构和光吸收及光发射性质.采用磁控共溅射技术成功地制
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该论文主要研究半导体GaAs及InAs纳米颗粒在绝缘介质SiO<,2>中镶嵌的复合薄膜(GaAs-SiO<,2>及InAs-SiO<,2>)的制备技术、薄膜的微观结构和光吸收及光发射性质.采用磁控共溅射技术成功地制备出颗粒直径可能控制、颗粒分布均匀、光学性能好的GaAs-SiO<,2>及InAs-SiO<,2>纳米颗粒镶嵌薄膜样品,薄膜中GaAs及InAs颗粒的平均直径为纳米量级.研究了薄膜样品的光吸收和光发射特性,研究纳米半导体颗粒的能隙展宽和薄膜样品的光吸收边蓝移等现象,光吸收实验观察到明显的多峰结构,峰与峰之间的能量差随颗粒直径的增大而减小.
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