本文详细介绍了中国科学技术大学数字化符合多普勒测量系统的研制，谱仪性能以及离线数据处理方法，从理论和实验上研究了二十余种纯元素的CDB谱形，并进一步研究了几组合金，氧化物，半导体和纳米材料的CDB谱。　　　 研究了铝镁合金和不锈钢材料，将合金的CDB谱分解为各组分CDB谱的加权组合，发现拟合的权重与实际合金中各组分比例,相差甚远，这些差别反映了各组分正电子亲合势的影响；研究了Al2O3、MgO、MgAl2O4和不同Sr含量的La1-xSrxMnO3的CDB　　谱，发现尽管这些样品结构和组分差别很大，它们的CDB谱却有相同的特征，即存在“氧峰”，这说明，氧或者氧与缺陷的复合体是这些材料中最重要的正电子捕获中心；研究了未掺杂和Zn掺杂的GaSb样品的退火行为，400℃退火基本上可以消除未掺杂GaSb中的VGa缺陷，而Zn掺杂的GaSb样品引入了VGa-Zn的复合体缺陷，400℃退火无法消除这种缺陷；研究了不同管径的碳纳米管，发现了正电子在碳纳米管外表面湮灭的实验证据；研究了不同含量Mn掺杂的TiO2纳米晶，发现在2﹪的Mn掺杂时，寿命谱和S参数上都存在突变点，这与荧光谱的结果一致，这种突变可能与纳米晶表面的缺陷态有关。