SiGe异质结双极型晶体管以Si为基本材料，打破了传统Si器件的限制，某些方面达到了III-V族器件的性能。具有渡越时间短、频率高、电流增益大、低温特性优良、抗辐射、工艺成本低、散热性能良好、机械强度高等优点。　　本文提出沟槽型发射极SiGe HBT，详细分析了沟槽型发射极的机理，并研究了引入新结构对器件性能的影响。沟槽型发射极将传统发射极电流路径分流，在不影响结电容前提下，使发射极电阻分区并联减小，提高SiGe HBT频率性能。仿真结果显示，沟槽型发射极器件使频率性能增加，且不增加结电容，也不降低电流增益。对新型发射极优化设计，改变侧墙高度和侧墙宽度，沟槽型发射极频率不受侧墙高度的影响，频率特性随着侧墙宽度的增加而降低。　　为了提高击穿电压，集电区引入超结结构。详细分析了超结结构的引入对器件性能的影响。超结集电区在横向和纵向都建立了电场，横向新电场的分布提高了器件的耐压能力。基于超结的集电区，在不影响高增益、高频率特性的前提下大大改善了器件的击穿电压。超结层数对击穿电压有优化作用，随着超结区层数的增多，层区宽度减小，器件的电流增益和频率特性变化不明显，但击穿电压显著增大。考虑到工艺难度和制造成本，超结层数取为4层结构是合理的。