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SiGe异质结双极型晶体管以Si为基本材料，打破了传统Si器件的限制，某些方面达到了III-V族器件的性能。具有渡越时间短、频率高、电流......
介绍了一种新型SiGe HBT,对其实验数据分析解释了发射极沟槽型对器件特性的影响.引入新结构后,高频特性优良.新结构降低发射极电阻......
