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本文通过空间带电粒子地面辐照模拟实验得到不同能量和注量的电子、质子辐照下GaAs/Ge太阳电池的明Ⅰ-Ⅴ特性、光谱响应和暗Ⅰ-Ⅴ特性退化结果，在此基础上分别采用太阳电池模拟程序(PC1D)建模计算、太阳电池暗Ⅰ-Ⅴ特性方程拟合和明Ⅰ-Ⅴ特性分析三种不同方法研究GaAs/Ge太阳电池的串、并联电阻随带电粒子能量和注量变化的基本规律，旨在揭示GaAs/Ge太阳电池的辐照损伤机理。研究结果表明: 1.在一定的辐照注量下，小于200keV的低能质子辐照下GaAs/Ge太阳电池串联电阻随辐照能量的增高先减小而后增大，而并联电阻随辐照能量的增高先减小后增大，在70keV时达到最小值，在100keV达到最大值，之后随能量的增高而减小，这主要是因为70keV质子主要造成结区损伤，而其它能量的质子主要造成发射区和基区损伤;在一定的辐照能量下，GaAs/Ge太阳电池的串联电阻随辐照注量的增加而增大，而并联电阻随其辐照注量的增加而减小，这主要是由于随辐照注量增高，因辐照产生的缺陷浓度增高导致发射区和基区载流子散射效应增强、结区的漏电流增大造成的。 2.在辐照能量不变的情况下，高能质子辐照下GaAs/Ge太阳电池的串联电阻受辐照注量的影响不大，并联电阻随其辐照注量的增加而减小。在辐照注量一定时，GaAs/Ge太阳电池的串联电阻随质子能量的增加而减小，并联电阻随质子能量的增加而增大，这是由于高能质子能够穿透电池，在电池内部产生的缺陷浓度随质子能量的升高而减小。 3.在一定的辐照注量下，高能电子辐照下GaAs/Ge太阳电池的串联电阻随辐照能量的增加而增大，并联电阻随其辐照能量的增加而减小;在一定能量的电子辐照下，GaAs/Ge太阳电池的串联电阻随辐照注量的增加而增大，并联电阻随其辐照注量的增加而减小。 4.对比太阳电池模拟程序(PC1D)建模计算、暗Ⅰ-Ⅴ特性方程拟合和明Ⅰ-Ⅴ特性分析三种方法得到的串、并联电阻变化规律可知，PC1D建模计算与暗Ⅰ-Ⅴ特性方程拟合结果基本一致，而明Ⅰ-Ⅴ特性分析结果偏差较大。