作为自然界存在的生物活性分子卟啉的类似物,拥有共面的18π电子共轭大环体系的酞菁（Pc）类化合物由于具有独特的物理和化学性质在科学研究和工业生产中都引起了人们广泛的兴趣。酞菁大环周围苯环上的每一个位置均可以被取代基所取代,而且取代基的位置和种类都极大地影响着酞菁的物理和化学性质。酞菁这些性质和应用都与它们最基本的电子结构密切相关。因此,从理论上研究酞菁类化合物结构和性质的关系（构效关系）对从根本上理解酞菁的内在性质的决定因素并从结构上设计具有需要性能的新型化合物分子具有至关重要的意义。酞菁能够与半径较大配位数较多的金属如稀土金属等形成三明治型双层或三层化合物。酞菁配体与金属形成的双层酞菁金属配合物尤其是稀土双层酞菁配合物具有新奇和独特的电子和光学性质,这使得它们在材料领域如分子电子学、非线性光学器件、传感器和光学寻址空间光调节器等多个方面具有广泛的应用。此前的研究结果显示双层酞菁稀土配合物的电化学和光谱学性质与分子中两层酞菁环间的距离密切相关,而两层酞菁环间的距离是由中心稀土金属的离子半径以及金属与酞菁配位键的强度决定的。然而,在酞菁领域中从基础上对共轭酞菁环、中心金属、周边或者非周边取代基、分子结构和光谱学以及电化学性质的关系的研究还没有开展。另一方面,由于双层酞菁稀土配合物中两层酞菁环之间存在很强的π-π相互作用,一层酞菁环上的取代基预计会对另一层酞菁配位以及整个双层配合物的结构和性质产生影响,这种影响应该与单层酞菁配合物中的情况有所不同。然而,双层酞菁稀土配合物中两层酞菁配体中的一层酞菁环上的取代基对整个双层分子的影响规律至今还没有完全弄明白。尽管在实验上人们已经合成出了很多在酞菁环周边和非周边位置具有不同取代基的双层酞菁稀土配合物,对取代基的位置和数目对整个双层酞菁稀土配合物的结构和光谱性质的影响的理论研究却很少,尤其是从密度泛函理论水平上进行的研究。由于除了铈之外其它稀土元素通常采取正三价氧化态而无论卟啉还是酞菁都需要两个电子来形成二价阴离子形式的十八电子π体系,因此双层酞菁或混杂酞菁卟啉稀土配合物中存在一个空八,空八的存在使这些双层四吡咯稀土配合物很容易被还原变成阴离子形态或者质子化的结构。由于空穴或者酸性质子在材料领域起到非常重要的作用,人们付出很大努力试图去确定相应双层四吡咯稀土配合物中空穴和酸性质子的位置。X射线衍射技术不能够给出双层四吡咯稀土配合物中质子或者空穴位置的有效信息。尽管空穴位置已经可以通过光谱手段确定,在质子化的双层四吡咯稀土配合物中尤其是混杂酞菁卟啉稀土配合物中酸性质子的位置至今还未被实验手段确定。此外,由于存在内在的离域到两层酞菁环上的空穴,在三明治型双层酞菁稀土配合物中捕获或者失去电子都很容易。这与三明治型双层酞菁稀土配合物具有高度离域的π共轭体系一起使它们呈现出作为双极性有机场效应晶体管半导体的巨大应用潜力,正如Simon等人先前的实验工作预测的那样。尽管半导体材料中的分子堆积对基于薄膜材料的有机场效应晶体管装置的电荷传输性质具有重要作用,分子堆积方式对π-π相互作用以及相应的半导体材料的电荷传输性质的影响规律仍然不是很清楚。因此用密度泛函理论方法对双层酞菁稀土配合物的半导体性质进行理论研究并弄清在半导体中电荷传输性质将对发展用作有机场效应晶体管的新颖的酞菁半导体材料起到很大帮助。本论文对单层酞菁配合物和双层酞菁配合物以及混杂酞菁卟啉配合物的结构和性能的关系进行了密度泛函水平上的理论研究,并模拟了双层酞菁配合物有机场效应晶体管中的电荷传输性质。1、烷氧基取代基链长、中心金属离子以及轴向配体对单层酞菁配合物的结构和性质的影响我们用密度泛函理论和含时密度泛函理论在B3LYP/LANL2DZ水平上系统研究了三种酞菁铅配合物,即PbPc、PbPc（α-OC₂H₅）₄和PbPc(α-OC₅H₁₁)₄的分子结构、分子轨道能级、原子电荷、红外和拉曼光谱以及紫外可见吸收光谱。计算的PbPc和PbPc(α-OC₅H₁₁)₄的分子结构以及模拟的PbPc(α-OC₅H₁₁)₄的红外和紫外吸收光谱与实验报道的结果进行了对比,证明我们采用的基组和泛函对计算酞菁配合物是合适的。计算结果发现在酞菁环非周边位置上的烷氧基取代基对酞菁铅配合物的分子结构和相应的化学性质产生了非常大的影响,而这种影响的大小随烷氧基上烷基链长度的不同而不同。非周边位置的四烷氧基取代将酞菁铅的每个异吲哚单元在异吲哚伸展的方向即垂直于分子C₄轴的方向上发生扭曲而在C₄轴方向上发生扭转,被取代一侧的对应键长比未取代一侧的要长些,而在C₄轴方向上取代一侧要高于未取代一侧。这种扭曲和扭转作用随着烷氧基的空间位阻的不同而不同。此外,烷氧基取代还导致酞菁铅分子的红外光谱和紫外吸收光谱发生很大的变化。我们的结果清楚地指出了酞菁铅配合物中分子结构和性质随着烷氧基链长度的变化规律,为通过调控酞菁分子上的取代基来调节分子性质提供了很大的指导作用。我们用密度泛函理论和含时密度泛函理论在B3LYP/LANL2DZ水平上详细研究了酞菁铅、酞菁锡、酞菁锗以及酞菁锡和酞菁锗的轴向氯离子取代的类似物的分子结构、分子轨道能级、原子电荷、红外光谱、拉曼光谱和电子吸收光谱。我们将计算的PbPc的分子结构、模拟的红外光谱和PbPc在氯仿和DMSO溶液中的电子吸收光谱电子吸收光谱与实验上得到的单晶分子结构、实验测得的红外吸收光谱和紫外可见吸收光谱的进行了比较,发现它们都符合得很好。通过对五个具有不同中心金属离子和轴向配体的化合物的比较研究,我们发现了轴向配体和中心金属离子半径对分子结构、分子轨道和原子电荷以及红外和拉曼光谱的重要的影响规律。我们对吸收光谱中的每个吸收峰进行了分析,指出了每个吸收峰的激发态对称性,并对每个报道的吸收峰的电子跃迁本质以电子跃迁贡献和包含进该跃迁的轨道的形式进行了洋细的报道和分析。轴向配体由于改变了分子轨道能级次序和分子对称性从而也对整个分子的电子吸收光谱产生显著的影响。我们的结果清楚地指出了酞菁类配合物中分子结构和性质随着中心金属离子半径不同以及轴向配位作用的变化规律,为通过调控酞菁分子上中心金属离子以及轴向配体来调节分子性质提供了很大的指导作用。2、三明治型双层酞菁及混杂酞菁卟啉稀土配合物结构和光谱性质的密度泛函理论研究我们首次通过密度泛函和含时密度泛函理论计算准确地描述了中性态双层酞菁稀土配合物及其阴离子的分子结构、分子轨道、原子电荷、电子吸收光谱、红外光谱和拉曼光谱。计算的结果与实验数据符合得很好,说明我们选取的方法和基组对计算诸如双层酞菁镧配合物之类的大分子是可行的。我们发现无论是在中性态还是还原态的双层稀土酞菁配合物中中心稀土元素的离子半径对M-N键长和环间距离的影响比酞菁环内部结构参数的影响要大。将中性态双层酞菁稀土配合物还原成阴离子导致它们分子轨道和电荷分布的重排但是分子结构改变并不是很大。我们还根据原子特征对所有化合物的前线轨道的轨道能级和轨道本质进行了描述和解释。从酞箐钇阴离子到酞菁镧阴离子,由于HOMO-1轨道和HOMO轨道的能级差以及LUMO轨道和LUMO+1轨道能级差的减小,两个Q带的分裂程度有所降低。由于环间π-π相互作用的增强,酞菁钇和酞菁钇阴离子的红外和拉曼光谱中的吸收峰与酞菁镧和酞菁镧阴离子中的相应峰比较都发生了蓝移。计算显示酞菁钇阴离子和酞菁镧阴离子分别在1283和1273cm^-1处的峰以及酞菁钇和酞菁镧在1258和1246cm^-1处的红外吸收峰可以用作特征红外信号来区分中性态和还原态的双层酞菁稀土配合物。实验观察到的酞箐钇和酞菁镧分别存1322和1313cm^-1处的红外吸收峰应该被归属为既包含酞菁阴离子自由基又包含酞菁二价阴离子的混合振动模式而不是以前实验归属的单纯的酞菁阴离子自由基的振动模式。本部分工作为从本质上更深入理解双层酞菁稀土配合物的结构和性质以及中心稀土离子对双层配合物结构和性质的影响规律提供了很大帮助。我们通过密度泛函和含时密度泛函理论计算准确描述了三个不对称双层酞菁钇配合物及其还原态阴离子的分子结构、分子轨道、原子电荷分布、电子吸收光谱、红外光谱和拉曼光谱。计算的中性分子的电子吸收光谱、红外光潜和拉曼光谱与实验结果都符合得很好。计算结果显示双层酞菁稀土配合物中一层酞菁配体非周边位置的取代基对双层大分子结构和光谱性质的影响要比周边位置取代基的大。增加取代基的数目进一步导致双层分子结构和光谱性质的更大变化。在中性双层酞菁稀土配合物的两层酞菁配体的一层中引入给电子性质的甲氧基取代基导致取代酞菁配体上的一些电子转移到了未取代酞菁环上。中性分子的单电子还原导致在还原态阴离子中两层酞菁环电荷分布趋于平衡。此外,在双层酞菁钇分子中两层酞菁环中的一层上引入甲氧基取代基使得区分由未取代酞菁和取代酞菁配体引起的振动模式成为可能。随着中性态分子被还原成阴离子由未取代酞菁产生的振动模式和由取代酞菁配体产生的振动模式具有一致的变化规律,进一步证实在不对称双层酞菁稀土配合物中空穴是离域到两个酞菁环上的。由于双层酞菁稀土配合物中两层酞菁环之间的强烈的π-π相互作用,不仅甲氧基取代基的空间位阻作用还有两层酞菁配体间的电子转移都对整个双层配合物结构和性质的改变以及取代基效应从取代酞菁环到未取代酞菁环的转移起到重要影响。本部分工作首次通过密度泛函理论计算来研究双层酞菁稀土配合物中的两个酞菁环中一个酞菁环上的烷氧基的位置和数目对整个双层配合物结构和性质的影响规律。通过对化合物（Pc）Y（Por）、[（Pc）Y（Por）]^-、（HPc）Y（Por）和（Pc）Y（HPor）的分子结构、分子轨道、原子电荷、电子吸收光谱和红外光谱的基于密度泛函理论的比较计算,我们进一步确证了在中性态非质子化的双层混杂酞菁卟啉稀土配合物中空穴位于酞菁配体一侧。这与实验上用红外光谱技术得出的结论一致。然而,与以前推测的结果相反,我们的比较性的理论计算结果证明在质子化的混杂双层酞菁卟啉稀土配合物中酸性质子更倾向于处在卟啉而不是酞菁配体上。据我们所知,本文的工作首次在密度泛函理论计算的基础上尝试理解双层混杂酞菁卟啉稀土配合物的结构和性质。3.三明治型双层酞菁配合物有机场效应晶体管半导体性质的密度泛函理论研究我们通过密度泛函理论计算对一系列并噻吩化合物及其杂原子和卤素取代的衍生物进行了研究以考察它们作为有机场效应晶体管半导体材料的潜力。我们系统研究了并噻吩类化合物的HOMO和LUMO轨道能级、离子势、电子亲和能、重组能、传输交换积分、电荷传输迁移率、尤其是半导体性质随低聚物长度、杂原子取代和卤素取代的变化规律。未取代的并噻吩由于相对应金电极电子注入势垒很高故只能作为p型半导体。用杂原子尤其是硼原子取代并噻吩化合物中噻吩上的硫原子通过降低电子注入势垒和提高电子传输迁移率极大地改善了它们的电子传输的半导体性质但没有削弱它们的p型半导体性能,因而导致硼原子取代的并噻吩类化合物从并噻吩的基于金电极的有机场效应晶体管的p型活性半导体层转变成并硼噻吩的双极性半导体层。用两个氟原子取代硼取代的并六噻吩一端硼噻吩上的两个质子导致空八和电子传输迁移率略有升高。本部分工作作为对并噻吩低聚物的有机场效应晶体管性质的杂原子取代效应的首次系统的理论研究对合理地设计具有双极性的有机场效应晶体管半导体材料具有很大的帮助和指导作用。在对小分子进行尝试计算的基础上,我们通过密度泛函理论计算研究了在双层酞菁钇和酞菁镧配合物的晶体结构以及由双层酞菁钇分子构成的可能二聚体中的电荷传输性质。计算结果表明双层配合物酞菁钇和酞菁镧都是很好的双极性半导体材料,计算的它们的空穴迁移率分别达到了0.034和0.17 cm² v^-1s^-1,电子迁移率分别高达0.031和0.088 cm² v^-1s^-1。我们还描述了还原和氧化导致的分子几何结构和电子结构的变化以合理解释它们很小的空穴和电子重组能并且弄清在这些双层配合物中的电荷传输模式。对由两个酞菁钇分子构成的所有可能的二聚体模型中的传输交换积分也进行了系统地研究并且计算了对应的内在电荷传输迁移率。我们在这部分工作中基于密度泛函理论计算的对双层酞菁稀土配合物的半导体性质的理论研究将对发展用作有机场效应晶体管的新颖的酞菁半导体材料起到很大帮助。