自本世纪50年代晶体管诞生以来，微电子技术发展异常迅速，目前已进入甚大规模集成电路和系统集成时代，微电子技术已经成为整个信息时代的标志和基础。可以毫不夸张地说，没有微电子就没有今天的信息社会。现在，电子信息产业已经成为世界第一产业。毫无疑义，21世纪将是信息化的世纪，因此21世纪的微电子技术将得到高速发展。在微电子这一大家庭中，有一个成员的成长是有目共睹的，那就是快闪式存储器(Flash Memory)。随着工艺水平的不断提高，器件特征尺寸不断减小，从而使得Flash Memory在容量不断增大的同时性能也在不断的改善。如今Flash Memory由于其自身的高速的优势而使得它成为半导体存储器中不可或缺的一类产品，它在计算机、通讯和消费类电子产品中的应用越来越广泛，越来越普遍。 本文在阐述了Flash Memory的结构和工作原理的基础上，分析了其外围电路中的灵敏放大器的重要性和常用结构。然后着重论述了两种应用3V全CMOS Flash Memory中的全新结构灵敏放大器，并用Innosis 0.15μm工艺，对其进行仿真，得到了不同条件下的仿真结果，结果表明新设计的全新灵敏放大器具有电路结构简单，读取速度快等优点，完全能够满足Flash Memory的要求，达到了预期的目标。