单晶碳化硅（SiC）具有宽带隙、高击穿电压、高饱和电子漂移速度等优良半导体特性。此外,SiC是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物半导体,具有很强的离子共价键,结合能稳定,具有优越的力学、化学性能,这些优异的性能使得碳化硅材料加工变得极为困难。激光加工技术作为一种新兴加工技术逐渐受到大家的广泛关注,尤其是飞秒激光加工技术,它具有加工精度高、热效应小、可实现三维微加工等诸多优势。本文主要围绕飞秒激光辐照SiC展开,重点研究六方碳化硅（6H-SiC）在飞秒激光辐照下热响应现象与熔化阈值模拟。主要研究成果如下:研究发现SiC在超短脉冲激光辐照下载流子温度分布随时间呈现出两个峰值,这是由于激光辐照过程中俄歇加热和激光直接加热在不同阶段占主导作用引起的,并且激光参数同样对双峰结构的调控起着重要作用。模拟了采用波长780 nm、脉宽50 fs、激光通量分别为0.5 J/cm~2与1.0 J/cm~2激光辐照时,不同机制下载流子温度随时间变化的曲线。发现双峰结构中第二个峰值的出现并不仅仅单独依赖于自由载流子吸收过程亦或是俄歇复合过程,而是两种机制共同作用的结果,它们的影响程度与激光通量有关,激光通量改变,载流子双峰形成起主导作用的物理机制也随之发生变化。波长对于双峰结构的调控源于激光辐照过程光学吸收系数有较大差别,激光脉宽与通量则影响辐照过程中激光强度大小。与激光强度相比,吸收系数对于双峰结构的影响更为显著。明确SiC载流子浓度、载流子温度与晶格温度随时间的变化规律是确定SiC熔化阈值的前提条件。本文介绍了超短脉冲激光辐照下SiC熔融阈值的条件,熔化过程包括热熔化和非热熔化,给出了非热熔化阈值的定义。激光辐照熔化过程中非热熔过程与热熔过程相对能量贡献占比是判定熔化形式的依据。如果能量通量足够大,辐照过程中非热熔过程能量贡献占比远大于热熔过程,熔化主要是非热熔的,否则是热熔的。详细探讨了阈值对波长和脉冲宽度的依赖关系以及不同激光通量下两种熔化类型在整个熔化过程中能量贡献占比。研究过程中以单脉冲辐照为基准,重点研究SiC被辐照区域开始熔化时熔化阈值Fm1,为此分别模拟了780、400和248 nm三种激光波长在50～200 fs脉宽范围的熔化阈值曲线,以研究熔化阈值与激光参数的关系。结果表明,相同激光脉宽下激光波长越短熔化阈值越小。当以晶格温度（只考虑热熔过程）为熔化判断依据时计算出的熔化阈值略大于考虑热熔和非热熔过程计算出的熔化阈值。该工作为理解激光热响应过程提供了参考,并且对超短脉冲激光在碳化硅材料改性、切割与微加工等领域的应用提供了一种可能性。