金属有机物化学汽相沉积（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）是一项制造薄膜材料的关键技术，目前广泛应用于制备高质量半导体薄膜、铁电薄膜、超导薄膜和各种半导体器件。本文在研究了现代MOCVD技术的基本原理和特点的基础上，研制了采用液态源的MOCVD系统。 用MOCVD法沉积热释电薄膜的主要障碍是先体材料，传统的方法多采用气态源，且多选取较高蒸气压的MO源先体。本文采用了金属醇盐的液态MO源先体、液体脉冲输送和超声雾化技术，能有效地解决先体材料及其输送问题。液态源MOCVD系统的硬件部分主要由真空系统、液态源输送系统、进气系统和温控系统构成。设备的操作采用可编程控制器（PLC）和触摸屏。利用PLC和智能仪表等实现信号的采集转换及控制，实现了设备的自动化控制。 将所需元素的金属有机物按一定化学计量比制成液态或固态MO源先体，再溶解于有机溶剂中，形成一定摩尔浓度的溶液或悬浊液，即液态MO源先体。然后由输送泵将液态MO源先体输送到超声雾化器雾化，成为微米级的汽雾。再与反应气体生成所需要的氧化物，沉积在温度可控的衬底上。文中配制了锆钛比为30：70的PZT（锆钛酸铅）先体溶液，利用自行研制的液态源MOCVD系统进行了薄膜的沉积。 综上所述，本文所研制的MOCVD系统，简化了源输送方式，降低了对源材料的要求。系统操作简便、运行稳定、控制效果良好。