氮化硅薄膜具有良好的电介质性能、突出的绝缘性以及抗氧化能力。随着社会及技术的发展，氮化硅薄膜在微电子、太阳能电池行业、半导体企业应用越来越广泛。近几年来，氮化硅薄膜作为太阳能电池的减反射层越来越受到关注。氮化硅薄膜不仅仅可以增加太阳能电池光的吸收能力，同时对硅衬底还有很好的钝化效果，极大的提高了太阳能电池的光电转换效率。目前，制备氮化硅薄膜的方法越来越多，氮化硅薄膜最重要的制备方法有低压化学气相沉积(LPCVD)、高温热化学气相沉积（HTCVD）等，但这些方法沉积氮化硅薄膜都需要很高的温度，存在耗能大、影响太阳能电池本身性能等缺点。而由等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备的氮化硅薄膜具有折射率可调、光学性能好、致密性及均匀性好、钝化效果好、制备温度低、易于大面积生产等特点。通过对沉积温度、射频功率、气体流量比等沉积参数进行对比，观察其参数对氮化硅薄膜的折射率、反射率、化学键性质的影响，调节参数变化，获得了致密度高，表面形貌光滑，光学性能优异的氮化硅薄膜。在本论文中，作者还用脉冲激光对所沉积的氮化硅薄膜进行了处理，脉冲激光处理后的氮化硅薄膜的厚度会略微的减小，说明处理后，薄膜致密性得到加强。同时，氮化硅薄膜的光学性能也会受到影响，折射率会随着时间和能量的增加而变大、而反射率基本上没有改变。通过研究发现，脉冲激光对氮化硅薄膜的少数载流子寿命得影响较大，脉冲激光时间和能量增强，少子寿命都会下降。以至于影响氮化硅薄膜的性能。