本文研究了利用分子束外延的方法在GaAs(001)衬底上生长了GaSb、InAsSb和GaAsSb材料，并采用X射线，透射电子显微镜，光荧光等手段研究了上述材料的物性，主要研究内容和结果如下：　　 (1).通过对AISb成核层生长温度和生长速率的优化，生长出了高质量的GaSb缓冲层，其X射线半高宽小于200 arcsec。研究了生长在高质量GaSb缓冲层上AlGaSb/GaSb量子阱的光学性质，观察到了基态电子到轻空穴的跃迁。　　 (2).研究了带有AISb成核层的GaSb缓冲层的位错结构。通过透射电镜的明场衍衬像，给出了GaSb缓冲层中位错的伯格斯矢量，观察到了AISb成核层中的金字塔型缺陷和V字形缺陷。　　 (3).研究了同一生长温度下，不同AISb成核层厚度，对GaSb缓冲层晶体质量的影响，结果表明对于同一温度点存在一个最优的AISb厚度值。通过X射线的ω-2θ扫描表明了随着AISb成核层厚度的增加，AISb可被看做从柔性衬底到刚性衬底的过渡。当AISb厚度在最优厚度附近时，GaSb的应变最小。　　 (4).优化了InAsSb材料的生长条件。通过引入低温缓冲层，显著的提高了InAsSb材料的晶体质量，获得了高质量的外延层材料其X射线半高宽为797arcsec。此结果好于以往报道。　　 (5).研究了GaAsSb材料的生长，As、Sb耦合行为，及Be掺杂行为。As、Sb的耦合行为符合非平衡热力学模型。重掺杂GaAsSb样品的载流子浓度随着Sb组分的升高而增大，载流子迁移率随Sb组分呈先减小后增大的过程。　　 (6).首次采用光荧光的方法研究了重P型掺杂GaAsSb材料的费米能级随Sb组分的变化。费米能级随着Sb组分的增大而增大。其荧光半高宽与费米能级有相同的变化趋势。