本文研究了PVDF基体高介电性能复合薄膜的改性和制备技术，本文首先讨论了凝胶溶胶法制备纳米级TiO2粉体的实验方法，确定了最优的原料配比方案，在不同烧结温度下制备出锐钛矿和金红石两种晶型的样品，再分别以PVDF作为基体材料，通过流延法，制备得到不同填料比例的复合薄膜；其次在上述实验条件的基础上，制备得到TiO2凝胶，然后加入定量的甲基丙烯酸甲酯单体进行聚合，最终得到TiO2/PMMA体系的无机有机复合材料，再以此复合材料为填充物，以PVDF作基体，并通过通过红外光谱(FTIR)，透射电镜(TEM)，热失重(TG)等方式，对复合薄膜进行了分析表征，并对样品进行了介电常数，介电损耗，击穿电压的性能测试。测试结果表明，以TiO2粉体为填料，使用流延法制备复合薄膜，薄膜介电常数随着粉体含量的增加，薄膜的介电常数上升，掺入金红石相TiO2的薄膜比掺入锐钛矿TiO2薄膜的介电常数有明显的提高，在200KHz处分别达15和25；在介电损耗值方面，相对于纯膜，复合薄膜的表现差异不大；随着粉体含量的增加，复合薄膜电击穿强度出现下降。以TiO2/PMMA杂化材料作为填料，使用流延法制备出的复合薄膜，随着杂化材料添加量的增加，复合薄膜的介电常数随之升高，PMMA含量最高的第Ⅰ组介电常数值最大，并且介电损耗值也最大，介电常数达到20.3(400KHz)。在电击穿性能方面，随着填料的增加，复合薄膜的击穿强度值有所下降，但是相对杂化前的TiO2改性膜击穿强度提高。