CdS-PAMAM杂化膜的制备及其电致化学发光性能研究

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ECL分析方法比起荧光分析法来有很多优势,因为它避免了由于一些不必要的光子激发而造成的背景影响。现如今,科学界对半导体纳米粒子呈现出越来越大的兴趣。由于纳米粒子具有独特的尺寸依赖性,它的很多性质,比如光电性质等都受其大小的控制。但是,虽然人们在如何增加半导体纳米粒子的ECL强度方面已经有了开展了一些研究,仍然无法和一些传统的发光物质相比,比如鲁米诺和钌联吡啶。这就限制了他们的在分析领域的应用。从另一方面来说,纳米半导体的ECL发光的稳定性是研制新型ECL传感器的另一个重要的因素。即使在一些文献报道里能得到稳定的ECL信号,但是对其稳定性的影响因素还没有清楚地解释。   本论文针对这两个问题,应用电化学沉积的方法,原位合成了具有高ECL响应的CdS-PAMAM复合膜(PAMAM第四代有64个氨基端基,G4),制成的薄膜和与没有PAMAM参与的薄膜相比,在共反应剂S2O82-存在的情况下,ECL强度提高了55倍。文中对沉积液的组成进行了详细优化,利用SEM表征了不同条件下生成的沉积物的形貌。进一步用紫外-可见光谱、荧光光谱、ECL发光光谱对其光学性质进行了表征。另外,首次发现了它的ECL光强具有可调节性。采用阶跃电位法时,阶跃时间对于ECL发光稳定性和强度的影响很大,较短的阶跃时间有利于产生稳定和强度高的ECL信号,从原理上对此现象进行了阐述。这一工作为制备强而稳定的ECL纳米复合物薄膜开辟了一条新的思路。  
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