【摘 要】
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随着集成电路特征尺寸的不断减小,作为失效分析重要一环的失效定位技术也要做出相应的变革,传统失效定位手段在如此大的区域里去精确定位失效位置已变得不切实际。利用CMOS I
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随着集成电路特征尺寸的不断减小,作为失效分析重要一环的失效定位技术也要做出相应的变革,传统失效定位手段在如此大的区域里去精确定位失效位置已变得不切实际。利用CMOS IC结构缺陷的红外发光现象可以快速地对失效位置进行定位,其灵敏度也很高。本研究工作主要集中于研究CMOS IC结构中的红外发光现象。包括与缺陷有关的红外发光,如ESD保护电路击穿、闩锁效应、接触毛刺等。同时通过失效分析的典型案例研究,在电路和版图设计以及制造工艺上寻找和分析产生发光缺陷的根本原因和产生机理。在实验中,使用了光发射显微镜(PEM)对失效芯片进行缺陷定位,并研究了光发射显微镜的背面成像模式,以及影响观测结果的各种因素。
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