【摘 要】
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该文首次研究了在面内场的作用下,用"低直流偏场法"产生的枝状畴畴壁中VBL的消失规律.实验发现,用"低直流偏场法"产生的IID枝状畴在面内场作用下的软化存在一个临界面内场范
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该文首次研究了在面内场的作用下,用"低直流偏场法"产生的枝状畴畴壁中VBL的消失规律.实验发现,用"低直流偏场法"产生的IID枝状畴在面内场作用下的软化存在一个临界面内场范围.在这个临界面内场范围内,畴壁中的VBL是逐渐丢失的.该实验还对经过直流偏场压缩的枝状畴和未经过直流偏场压缩的枝状畴在面内场作用下的软化过程进行了比较.另外,为了更加准确地测定OHB畴壁中的VBL软化的临界面内场范围,该文对经过筛选的OHB在H<,ip>作用下其畴壁中VBL的消失规律给予了研究.
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