永磁同步电机通常采用钕铁硼永磁体励磁,由于其矫顽力较高,导致电机磁场调节困难,恒功率运行范围小,极大地限制了其应用范围。为了使这种性能优良的电机应用在更多场合,控制永磁同步电机气隙磁场强度便成了研究的热点。近年来,一类采用高剩磁、低矫顽力永磁材料的记忆电机得到了广泛的研究。这类电机通过施加电流脉冲直接调节永磁体的磁化水平,改变电机气隙磁场的同时又减小了定子铜耗和永磁体退磁的风险。本文提出了一种新型磁通轴向调节记忆电机,主要研究工作包括以下几个方面:1、详细阐述磁通轴向调节记忆电机的原理及设计理念,首先根据设计理念提出几种不同的电机模型,利用磁路法推算出各结构的数学模型;之后就记忆永磁体能提供的磁动势、弱磁结构磁阻、所需充磁磁场的大小进行比较,排除了无法进行有效充磁的结构,选出通过定子形成弱磁回路和通过导磁体形成弱磁回路两种方案进行深入研究。2、根据磁路法选型结果对所选出的方案进行定量设计。建立目标电机模型后,首先确定了记忆永磁体的类型和牌号,利用极限工况测定了所需的记忆永磁体的厚度。之后又分别对两种结构的导磁体进行了设计和瞬态仿真,测定了弱磁前后空载运行E0的大小和气隙磁场分布,经验证和测定后,两种结构均可有效的调节电机气隙磁场,但通过定子弱磁结构的气隙磁场分布不均匀,会给后续磁场分布优化和NVH优化等工作带来挑战。3、对充磁绕组及电路进行细化设计,首先测定了所需充磁电流的大小,随后对充磁过程中磁场分布不均的问题进行了优化,最后根据充磁电流的大小设计了充磁电路并进行有限元分析,验证了两种结构均可以对记忆永磁体进行有效充磁,但由于磁路饱和的原因,通过导磁体弱磁结构所需的充磁电流大于通过定子弱磁结构,且散热能力低于前者。