【摘 要】
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由于在可见光波段光电性质表现优秀而在光电子器件和薄膜太阳能电池中应用广泛,CdSe半导体材料具有较好的应用前景。文章主要集中研究CdSe薄膜的可控生长条件,以及退火工艺对其性能的影响。利用真空热蒸发技术,设置蒸发电流为70、75、80、85、90和95A,将CdSe薄膜分别沉积在玻璃和Si衬底上。X射线衍射测试结果显示,在75A的蒸发电流下,CdSe薄膜的结晶性能最好。在氩气氛围中,设定退火温度分
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由于在可见光波段光电性质表现优秀而在光电子器件和薄膜太阳能电池中应用广泛,CdSe半导体材料具有较好的应用前景。文章主要集中研究CdSe薄膜的可控生长条件,以及退火工艺对其性能的影响。利用真空热蒸发技术,设置蒸发电流为70、75、80、85、90和95A,将CdSe薄膜分别沉积在玻璃和Si衬底上。X射线衍射测试结果显示,在75A的蒸发电流下,CdSe薄膜的结晶性能最好。在氩气氛围中,设定退火温度分别是400、450、500、550和600℃。借助金相显微镜和扫描电镜等设备对薄膜的形貌和晶体结构进行表
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伴随着迅速发展的人类社会与不断进步的科技水平,越来越高的标准要求着人们对于温度的测量。若想准确、在线、实时的测量实际温度场,就务必解决好高精度快速的测量声波在其各个传播路径上的飞渡时间与合理的重建算法以求高质量的反演温度场这两项关键技术。本课题针对前一技术开展研究,旨在寻找到更好的解决方法。本文从时延估计法出发,提出了一种以基于伪随机序列的时延估计法为基础粗测,再利用相位比较算法精测的声波飞渡时间
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