【摘 要】
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本工作采用螺旋波等离子体辅助溅射沉积系统应用非平衡生长技术在Al2O3(001)衬底制备了N-Al共掺的p型ZnO薄膜。分析了退火对ZnO薄膜的结构、光学及其电学特性的影响及薄膜表现为p型导电的微观机理。为获得较高载流子浓度的p型ZnO生长,分别以在n型Si(100)和p型Si(100)为衬底制备了N-Al共掺的ZnO薄膜,通过结构特性及光电特性对比,研究了衬底对薄膜导电性的影响。随后通过调整N2
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本工作采用螺旋波等离子体辅助溅射沉积系统应用非平衡生长技术在Al2O3(001)衬底制备了N-Al共掺的p型ZnO薄膜。分析了退火对ZnO薄膜的结构、光学及其电学特性的影响及薄膜表现为p型导电的微观机理。为获得较高载流子浓度的p型ZnO生长,分别以在n型Si(100)和p型Si(100)为衬底制备了N-Al共掺的ZnO薄膜,通过结构特性及光电特性对比,研究了衬底对薄膜导电性的影响。随后通过调整N2的流量对n型Si衬底上N-Al共掺ZnO薄膜生长规律进行分析,探讨了p型ZnO薄膜的形成机理,得到了如下
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