半导体量子点由于吸收与发射波长可调等优异的光学特性，在太阳能电池、发光二极管、生物医学等领域具有巨大的应用前景。目前量子点的合成主要在有机相中进行，采用的合成原料大部分具有高毒性且价格昂贵，并且需要较高的合成温度。通常制备的量子点表面含有疏水性基团的长链有机配体，实际应用时需要经过配体交换。改变量子点的尺寸与成分是调控其性能的基本手段，为拓宽量子点荧光发射范围需要控制其成分或者减小颗粒尺寸，这在实际合成时很难精确控制，而且当量子点的粒径减小到一定尺寸时，其结构与表面上的缺陷无可避免并导致性能下降。另外，由于不同尺寸的量子点可以获得较宽范围内连续变化的荧光发射，但应用其制备LEDs时会出现严重的重吸收现象而导致转换效率降低。本文针对这些问题，做了如下工作：首先，以电化学法制备的H2Se为Se源，采用了一种简便的水相反应方法合成MPA包覆的CdSe量子点。探讨了回流加热与电解制备H2Se气体的时间对CdSe量子点光学性能的影响。适当调节回流加热时间，获得的CdSe量子点的荧光发射峰从456nm红移到502nm。改变电解时间可以实现PL峰从494nm红移到520nm，相应的量子产率为18%左右。XRD及HRTEM测试结果显示，获得的CdSe量子点为立方闪锌矿结构，单分散性好，颗粒尺寸约为2.7nm。其次，通过离子扩散的方式，将Ag掺杂剂加入已制备好的CdSe量子点溶液中，首次在水相体系中制得CdSe:Ag掺杂量子点，XPS检测结果证实了这一结论。其光学性能的测试结果表明，Ag掺杂抑制了CdSe量子点的本征带隙的发射，而在长波方向出现新的掺杂发射峰，并且掺杂发射使得Stokes位移值从0.26eV增大到0.51eV。所获得的CdSe:Ag掺杂量子点具有较高的量子产率，在掺杂进行30min时，量子产率最高达28%。同样地，改变基体CdSe量子点的大小，获得的CdSe:Ag掺杂量子点的荧光发射波长从546nm到583nm。为了进一步提高其荧光性能，通过外延生长的方式在CdSe:Ag掺杂量子点外层生长CdS壳层，获得CdSe:Ag/CdS核壳量子点，研究发现荧光强度明显提高，相应的量子产率从28%提高到37%。最后，考虑到含Cd的量子点因其重金属的高毒性，我们又以ZnSe量子点为基体，制备出荧光发射从蓝光到绿光的ZnSe:Cu掺杂量子点。XPS测试证明Cu成功掺入基体ZnSe量子点，XRD测试显示其仍为闪锌矿结构，其HRTEM照片表明其颗粒分散性较好、外形近似圆形、尺寸约为4nm。ZnSe:Cu掺杂量子点的光谱测试结果表明，与CdSe:Ag掺杂量点相似，Cu的掺入出现了新的掺杂发射峰，不仅抑制了ZnSe量子点的本征发射，同时也改善了ZnSe量子点的表面缺陷态使其缺陷发射消失。结合光学图谱及量子点的能级示意图分析，Cu掺杂在ZnSe半导体量子点带隙之间形成一个新的杂质能级，导带中受激发电子与价带空穴在杂质能级发生辐射性复合，造成Cu的掺杂发射。此外，我们探讨了回流时间及配比的对ZnSe:Cu掺杂量子点的荧光性能影响。在配比为Zn/Se=1.2:1时，荧光发射在回流时间为60min时达到最强。通过控制反应配比可以获得尺寸连续变化的ZnSe:Cu掺杂量子点，其荧光发射范围从463nm覆盖到了518nm，相应的量子产率最高可达27%。