【摘 要】
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本文首先提出了对集成电路制造中局部缺陷的粒径进行分析的局部等效圆形缺陷理论，从而得到了衡量缺陷粒径模型精度的准则。其次，对真实缺陷轮廓的方向尺寸函数及其特征参数所具
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本文首先提出了对集成电路制造中局部缺陷的粒径进行分析的局部等效圆形缺陷理论，从而得到了衡量缺陷粒径模型精度的准则。其次，对真实缺陷轮廓的方向尺寸函数及其特征参数所具有的性质进行了理论分析。在此基础上，开发了一种用于真实缺陷轮廓模拟的分形插值方法，提出了一个对真实缺陷轮廓方向尺寸进行估计的新模型，并对关键面积的估计算法进行了改进。最后，对集成电路互连的电迁徙问题进行了研究，建立了与丢失物缺陷有关的IC互连线的电迁徙模型，模拟结果表明，缺陷对集成电路互连的电迁徙特性有着显著的影响。
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