为了解决电子发射体（阴极）研究方法中存在的问题，并寻求一种适当的、方便的阴极研究实验方法，本论文论证了建立与AES相连的PLD装置的必要性和可行性，并实际建立了这一装置，实现了阴极的原位沉积、原位分析。 电子发射现象是在电子发射体表面发生的物理过程，发射表面是由活性元素构成的动态平衡系统，这一系统直接决定电子发射性能。表面分析手段对阴极研究是必不可少的。PLD是制备薄膜的最好方法之一，PLD制备薄膜具有膜成分容易做到与靶成分一致，沉积条件容易控制、沉积速率高、实验周期短、应用范围大的特点。PLD适合少样品、多批次、薄膜质量要求高的阴极研究。 俄歇能谱仪是重要的表面分析手段，具有很多优点，适合于阴极研究。国产的四倍频YAG激光器价格低、性能稳定、能输出绿光和紫光，光束聚焦后能达到镀膜要求。与准分子激光器进行了比较，YAG激光器有高的性价比。 通过对AES进样室的改造，实现了AES与PLD的相连，也就实现了阴极薄膜的原位制备、原位分析。实际建立的系统包括激光器、外光路系统、真空制样室、俄歇能谱仪、电子发射测量仪。镀制了镧钼阴极，对镧膜进行了原位的成分分析。实验证明装置是可以使用的。