在微电子工业中占据主导地位的硅，是一种间接带隙半导体材料，这使得它在光电子器件应用中受到很大的限制。于是在光电子应用中，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体成为了更好的选择。这给信息时代带来一种矛盾，即在以硅为基础进行数据处理的同时，越来越多的数据传送倾向于依赖Ⅲ-Ⅴ族化合物为基础的光子发生接受器件。随着光互连通讯时代的到来，这种矛盾日益尖锐。　　 自从1990年在多孔硅中发现了可见光光致发光现象，学术界对硅系的光学性质研究产生了浓厚的兴趣，但同时有关光致发光机制的争执也在一直持续着。对于硅纳米结构的研究随后转移到了硅纳米线上来，因为作为一种半导体材料，硅纳米线具有优异的物理、化学及力学性能，其独特的光致发光性能使硅纳米线有望在低维纳米材料发展的基础上实现硅基纳米结构的光集成电路。但是关于光致发光的机制问题同样没有得到解决。　　 在本论文中我们通过热蒸发气相聚集法实现富硅氧化物纳米线结构的制备，SEM，TEM，Raman光谱等表征结果表明所制得的样品是包裹一些硅纳米晶粒的富硅氧化物纳米线。使用250nm紫外线激发样品，在2.7eV处发现PL主峰和550-650nm的弱峰，认为PL主峰来自于非晶硅氧基底中的中性氧缺陷发光中心。激发波长大于300nm时，在650nm处发现新的PL峰，认为该峰可能来自于硅纳米晶的量子限制效应。实验测得纳米线的可见光光致发光衰减寿命长达2秒左右，这远远超过现有报道中硅纳米体系可见光衰减寿命。对于长余辉的原因，我们认为是硅纳米晶中被激发的载流子在扩散过程中被界面俘获，获释后在非晶氧化物纳米线基底中复合发光引起的。