【摘 要】
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该论文进行了工作分为两个部分,第一是EIS型光导址电位传感器--LAPS的制作,包括硅片的制备、抛光、清洗、氧化、镀膜、封装等工艺;第二部分是理论分析及实验测试,建立了LAPS
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该论文进行了工作分为两个部分,第一是EIS型光导址电位传感器--LAPS的制作,包括硅片的制备、抛光、清洗、氧化、镀膜、封装等工艺;第二部分是理论分析及实验测试,建立了LAPS器件的物理模型,在对半导体光特性进行深入研究的基础上,提出了该器件的最佳光照方式.并进行了大量的实验,得到了光电压随偏置变压、光调制频率等因素变化的规律,并且在发光二极管两端分别加矩形波电压和脉冲电压,比较了采用两种不同调制光照射时,器件光电压响应的大小,从而确定了该器件的最佳工作条件.在此基础上测量了液体溶解氧和氟离子的浓度,该结果在中国尚未见文献报导.
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