颗粒污染在晶圆的生产制造当中是一种严重的缺陷,它可以导致电路开路或者短路。尤其在亚微米的生产技术中,颗粒污染已经成为产品良率的头号杀手。而在所有炉管LPCVD工艺中,氮化硅工艺的颗粒污染更是一个让所有工程师头疼的问题。针对这个问题,常规的做法就是通过周期性的维护来减少生产过程中的颗粒污染,但是周期维护势必会增加机台的运行费用,降低机台的效率。本文主要针对目前市面上流行的TEL Alpha-8SE立式LPCVD氮化硅炉管的制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究,通过大量的对比性实验,进行排查与分析,并利用各种先进的实验设备和器材,如200mm的Alpha-8SE炉管,美国应用材料的高倍度电子扫描设备SEM,KLA的缺陷分析设备SP1等,找到了产生颗粒污染的主要源头是工艺腔体的氮化硅薄膜的剥落物和副产物中NH4Cl晶体。根据对问题的分析结果,本文最后创新地提出了idle purge的解决方案,利用氮气在工艺腔体空闲时的吹拂可以有效的去除颗粒污染的效果,Idle purge方案成功解决了LPCVD氮化硅炉管生产工艺中的颗粒污染问题。不仅延长了机台的维护周期,而且改善了机台的颗粒污染状况,最终达到了提升良率,降低生产成本的目的,从而也更优化了工厂的制造工艺。