微波功率测量已成为电磁测量的重要部分。随着经济的发展，科技的进步，微波功率计已被广泛用于测量发射机/接收机的输出/输入功率，信号源的输出，以及振荡器的输出等。在国防、通讯、科研等领域有着广泛的用途。微波功率传感器是微波功率计探头中的核心元件，在该领域国内外已有大量的研究，但利用MEMS技术研制的微结构微波功率传感器至今还很少，本文主要介绍了一种用MEMS技术研制的微梁结构热偶微波功率传感器芯片的设计和制作工艺。 测量微波功率最常用的方法是“热”方法，即把微波能量转换成热能。微梁结构热偶微波功率传感器芯片就是利用热偶的塞贝克效应设计的，芯片选择具有低电阻温度系数的Ta2N和具有高热电系数的半导体单晶Si作为热偶材料。微波功率耗散在Ta2N电阻上转变成热能使热结温度高于冷结，这样冷热结两端就产生一个热电势，通过测量该热电势即可实现微波功率测量。热偶冷热结之间的温度差和热电势均正比于耗散在Ta2N电阻上的微波功率，如果热偶的工作电阻与同轴传输系统电阻匹配适当，该功率就等于被测源的功率。 芯片利用半导体工艺和MEMS工艺制作。工艺步骤复杂且难度大，经过大量的重复实验，最后每步工艺均能实现重复，且芯片外形美观。芯片灵敏度可达1.1mV/mW，频率范围从直流到18GHz，功率测量范围从10μW到100mW。